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Nanolitografia do silício utilizando o microscópio de força atômica

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dc.creator Santolin, Marcus Antônio
dc.date.accessioned 2015-03-26T13:35:09Z
dc.date.available 2009-06-15
dc.date.available 2015-03-26T13:35:09Z
dc.date.issued 2009-02-02
dc.identifier.citation SANTOLIN, Marcus Antônio. Silicon nanolithography using a atomic force microscope. 2009. 97 f. Dissertação (Mestrado em Física Teórica e Computacional; Preparação e Caracterização de Materiais; Sensores e Dispositivos.) - Universidade Federal de Viçosa, Viçosa, 2009. por
dc.identifier.uri http://locus.ufv.br/handle/123456789/4232
dc.description.abstract A indústria de semicondutores está cada vez mais interessada na miniaturização dos dispositivos na faixa nanométrica. Como as técnicas de litografia tradicionais estão alcançando seus limites, cresce a demanda por novas, incluindo aquelas que utilizam equipamentos que operam por sonda, tal como o microscópio de força atômica (AFM). Uma das técnicas que usa o AFM para produzir nanolitografia sobre semicondutores é a oxidação anódica local (LAO) do silício (Si), um dos semicondutores mais utilizados na fabricação de nano- dispositivos. Em geral, a LAO é baseada num mecanismo de anodização assistido por um alto campo elétrico produzido pela diferença de potencial aplicada entre a sonda condutora e o silício. Durante a oxidação alguns dos parâmetros que devem ser controlados são: a velocidade de varredura, a força entre a ponta e a amostra, a umidade relativa do ar, a etapa de limpeza pré-oxidação, dentre outros. No nosso trabalho, investigamos a nano-oxidação anódica no silício pela técnica LAO utilizando sondas condutoras de carbeto de tungstênio. Para este estudo, foi construída uma câmara com controle da umidade relativa do ar adaptada ao AFM. Os resultados obtidos mostram que é possível fazer nano- oxidação com geometrias pré-especificadas em escalas micrométricas e nanométricas, de boa qualidade e estudar a dinâmica da sua rugosidade com eficácia. pt_BR
dc.description.abstract The semiconductor industry is increasingly interested in the miniaturization of devices in the nanometer range. As the traditional techniques of lithography are reaching their limits growth the demand for new, including those that use equipment operating by probe, such as the atomic force microscope (AFM). One of the techniques that uses AFM on to produce nanolithography in semiconductors is the local anodic oxidation (LAO) of silicon (Si), one of the most widely used semiconductors in the manufacture of nano-devices. In general, the LAO is based on a mechanism for anodizing assisted by a high electric field produced by a potential difference applied between the probe and the conductive silicon. During the oxidation some of the parameters to be controlled are the scanning speed, the force between the tip and the sample, the relative humidity, the pre-oxidation cleaning, among others. In our study, we investigated the anodic nano-oxidation of silicon by the LAO technique using tungsten carbide probes. For this study, a chamber with controlled relative humidity adapted to the AFM, was built. The results show that it is possible to make nano-oxidation with pre- specified geometries in the micrometric and nanometric scale, of good quality and to study the dynamics of its roughness effectively. eng
dc.description.sponsorship
dc.format application/pdf por
dc.language por por
dc.publisher Universidade Federal de Viçosa por
dc.rights Acesso Aberto por
dc.subject Nanolitografia por
dc.subject Microscopia de força atômica por
dc.subject Nanoestruturas por
dc.subject Nanolithography eng
dc.subject Atomic force microscopy eng
dc.subject Nanostructures eng
dc.title Nanolitografia do silício utilizando o microscópio de força atômica por
dc.title.alternative Silicon nanolithography using a atomic force microscope eng
dc.type Dissertação por
dc.contributor.advisor-co1 Couto, Marcos da Silva
dc.contributor.advisor-co1Lattes http://buscatextual.cnpq.br/buscatextual/visualizacv.do?id=K4781688P4 por
dc.contributor.advisor-co2 Munford, Maximiliano Luis
dc.contributor.advisor-co2Lattes http://buscatextual.cnpq.br/buscatextual/visualizacv.do?id=K4791596H8 por
dc.publisher.country BR por
dc.publisher.department Física Teórica e Computacional; Preparação e Caracterização de Materiais; Sensores e Dispositivos. por
dc.publisher.program Mestrado em Física Aplicada por
dc.publisher.initials UFV por
dc.subject.cnpq CNPQ::CIENCIAS EXATAS E DA TERRA::FISICA::FISICA DA MATERIA CONDENSADA por
dc.creator.lattes http://buscatextual.cnpq.br/buscatextual/visualizacv.do?id=K4202390D0 por
dc.contributor.advisor1 Ferreira, Sukarno Olavo
dc.contributor.advisor1Lattes http://buscatextual.cnpq.br/buscatextual/visualizacv.do?id=K4786429E5 por
dc.contributor.referee1 Moreira, Helder Soares
dc.contributor.referee1Lattes http://buscatextual.cnpq.br/buscatextual/visualizacv.do?id=K4784865J8 por
dc.contributor.referee2 Ceotto Filho, Gino
dc.contributor.referee2Lattes http://buscatextual.cnpq.br/buscatextual/visualizacv.do?id=K4763744E2 por


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Este item aparece na(s) seguinte(s) coleção(s)

  • Física Aplicada [119]
    Teses e dissertações defendidas no Programa de Pós-Graduação em Física Aplicada

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