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Tipo: Artigo
Título: Overgrowth of wrinkled InGaAs membranes using molecular beam epitaxy
Autor(es): Silva, S. Filipe Covre da
Lanzoni, E.M.
Malachias, A.
Deneke, Ch.
Abstract: Partly released InGaAs layers forming a wrinkled network are used as templates for InAs growth. A systematic growth study was carried out, where InAs amounts from 0 ML to 3 ML were deposited on the patterned samples. The material migration during growth is evaluated by distinct microscopy techniques. We find a systematic accumulation of the deposited material on the released, wrinkled areas of the sample, whereas no material accumulation or formation of three-dimensional nanostructures is observed on the unreleased areas of the sample.
Palavras-chave: A1. Patterned substrate
A3. Molecular beam epitaxy
B2. Freestanding membranes
InAs growth
Editor: Journal of Crystal Growth
Tipo de Acesso: Elsevier B.V.
URI: https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2015.02.008
http://www.locus.ufv.br/handle/123456789/21380
Data do documento: 1-Set-2015
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