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Tipo: Dissertação
Título: Estudo da rugosidade de filmes finos de telureto de cádmio crescidos por epitaxia de paredes quentes
Título(s) alternativo(s): Study of the roughness cadmium telluride of the thin films grown by hot wall epitaxy
Autor(es): Ribeiro, Igor Renato Bueno
Primeiro Orientador: Ferreira, Sukarno Olavo
Primeiro coorientador: Ferreira Junior, Silvio da Costa
Segundo coorientador: Menezes Sobrinho, Ismael Lima
Primeiro avaliador: Chame, Anna Maria Nóbrega
Segundo avaliador: Teixeira, álvaro Vianna Novaes de Carvalho
Abstract: Neste trabalho estudamos o efeito da temperatura do substrato sobre os expoentes de Hurst (H) e de crescimento (β), em filmes policristalinos de telureto de cádmio crescidos sobre vidro coberto com óxido de estanho dopado com flúor. Para medir os expoentes e suas dependências em relação à temperatura crescemos amostras por 30 a 660 minutos e variamos as temperaturas dos substratos no intervalo de 150 a 300 ºC. Os perfis de altura da superfície das amostras foram medidas em varreduras de 300 μm através de um perfilômetro (XP1 - AMBIOS), o qual possui resolução vertical de 1,5 Å em 10 mm e resolução lateral de 100 nm. A partir desses dados foram determinados os expoentes H e β. O expoente de Hurst aumenta linearmente de 0,72 a 0,80 e o expoente de crescimento aumenta exponencialmente de 0,14 a 0,62, em função da temperatura. A rugosidade global também aumenta com a temperatura do forno do substrato, tornando-a um bom parâmetro para o controle da rugosidade.
In this work, we have studied the effect of growth temperature on Hurst (H) and growth exponents (β) for cadmium telluride polycrystalline layers grown on glass substrate covered by fluorine doped tin oxide. In order to measure the exponents and their temperature dependence, we have grown samples with growth times between 30 and 660 minutes at substrate temperatures between 150 and 300 ºC, in order to determine H e β. The samples height profiles were measured in scan lengths of 300 μm with stylus profiler (XP1 - AMBIOS) with a vertical resolution of 1.5 Å at 10 mm setting and lateral resolution of 100 nm. The Hurst exponent increases linearly from 0.72 to 0.80, and the growth exponent increases exponentially from 0.14 to 0.62, with temperature. The global roughness also increases with growth temperature, which turns to be a very good parameter for roughness control.
Palavras-chave: Rugosidade
Telureto de cádmio
Epitaxia de paredes quentes
Roughness
Cadmium telluride
Hot wall epitaxy
CNPq: CNPQ::CIENCIAS EXATAS E DA TERRA::FISICA::FISICA DA MATERIA CONDENSADA
Idioma: por
País: BR
Editor: Universidade Federal de Viçosa
Sigla da Instituição: UFV
Departamento: Física Teórica e Computacional; Preparação e Caracterização de Materiais; Sensores e Dispositivos.
Programa: Mestrado em Física Aplicada
Citação: RIBEIRO, Igor Renato Bueno. Study of the roughness cadmium telluride of the thin films grown by hot wall epitaxy. 2008. 85 f. Dissertação (Mestrado em Física Teórica e Computacional; Preparação e Caracterização de Materiais; Sensores e Dispositivos.) - Universidade Federal de Viçosa, Viçosa, 2008.
Tipo de Acesso: Acesso Aberto
URI: http://locus.ufv.br/handle/123456789/4226
Data do documento: 15-Mai-2008
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