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dc.contributor.authorGomes, Joaquim Pinto
dc.date.accessioned2015-03-26T13:35:11Z-
dc.date.available2009-12-02
dc.date.available2015-03-26T13:35:11Z-
dc.date.issued2009-05-29
dc.identifier.citationGOMES, Joaquim Pinto. Project and construction of a molecular beam epitaxy growth system. 2009. 133 f. Dissertação (Mestrado em Física Teórica e Computacional; Preparação e Caracterização de Materiais; Sensores e Dispositivos.) - Universidade Federal de Viçosa, Viçosa, 2009.por
dc.identifier.urihttp://locus.ufv.br/handle/123456789/4236-
dc.description.abstractA técnica de crescimento epitaxial por feixes moleculares (Molecular Beam Epitaxy – MBE) pode ser considerada como uma das mais importantes para a obtenção de filmes finos, heteroestruturas e nanoestruturas nos dias atuais, permitindo a obtenção de filmes de excelente qualidade, além de permitir o acompanhamento do crescimento in situ através de diversas técnicas de caracterização. Este trabalho aborda o projeto, a construção e os testes iniciais de um sistema de MBE para o crescimento de compostos contendo Cádmio, Telúrio, Manganês e Zinco. O trabalho apresenta uma revisão bibliográfica dos principais tipos de epitaxia, algumas das principais técnicas de crescimento, princípios básicos da tecnologia de vácuo e os instrumentos necessários à construção do sistema. É apresentado o projeto detalhado do sistema e seus principais componentes. Finalmente, descrevem-se os testes de funcionamento do sistema de vácuo, das células de efusão, o sistema de controle e automatização e os resultados obtidos com as primeiras amostras obtidas. O custo total do sistema na configuração atual é de aproximadamente R$ 150.000, cerca de 4 vezes menor que o de um sistema comercial com aproximadamente as mesmas características.pt_BR
dc.description.abstractThe epitaxial growth technique by molecular beams (Molecular Beam Epitaxy – MBE) can be considered as one of the most important for obtaining thin fine films, heterostructures and nanostructures nowadays, allowing the production of high quality layers, and it also allows the in situ monitoring of process through several techniques of characterization. This work presents the project, the construction and the initial tests of a MBE system for the growing of compounds containing cadmium, tellurium, manganese and zinc. The work shows a bibliographic revision of the main types of epitaxy, some of the main techniques of growth, the basic principles of vacuum technology and the necessary tools to the construction of the system. The detailed project of the system and its main components represented. Finally, the functioning tests of the vacuum systems, the effusion cells, the system of controlling and automation and the results obtained with the first obtained samples represented. The total cost of the system in the current configuration is approximately R$150.000 which is about as less as one fourth of one commercial system with approximately the same characteristics.eng
dc.description.sponsorshipCoordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior
dc.formatapplication/pdfpor
dc.languageporpor
dc.publisherUniversidade Federal de Viçosapor
dc.rightsAcesso Abertopor
dc.subjectCrescimento epitaxialpor
dc.subjectCdTepor
dc.subjectMBEpor
dc.subjectTecnologia de vácuopor
dc.subjectEpitaxia por feixe molecularpor
dc.subjectEpitaxy growtheng
dc.subjectCdTeeng
dc.subjectMBEeng
dc.subjectMolecular beam epitaxyeng
dc.titleProjeto e construção de um sistema de crescimento epitaxial por feixe molecularpor
dc.title.alternativeProject and construction of a molecular beam epitaxy growth systemeng
dc.typeDissertaçãopor
dc.contributor.authorLatteshttp://lattes.cnpq.br/5421585878398311por
dc.contributor.advisor-co1Moreira, Helder Soares
dc.contributor.advisor-co1Latteshttp://buscatextual.cnpq.br/buscatextual/visualizacv.do?id=K4784865J8por
dc.contributor.advisor-co2Carvalho, Alexandre Tadeu Gomes
dc.contributor.advisor-co2Latteshttp://buscatextual.cnpq.br/buscatextual/visualizacv.do?id=K4787153D2por
dc.publisher.countryBRpor
dc.publisher.departmentFísica Teórica e Computacional; Preparação e Caracterização de Materiais; Sensores e Dispositivos.por
dc.publisher.programMestrado em Física Aplicadapor
dc.publisher.initialsUFVpor
dc.subject.cnpqCNPQ::CIENCIAS EXATAS E DA TERRA::FISICA::FISICA DA MATERIA CONDENSADApor
dc.contributor.advisor1Ferreira, Sukarno Olavo
dc.contributor.advisor1Latteshttp://buscatextual.cnpq.br/buscatextual/visualizacv.do?id=K4786429E5por
dc.contributor.referee1Munford, Maximiliano Luis
dc.contributor.referee1Latteshttp://buscatextual.cnpq.br/buscatextual/visualizacv.do?id=K4791596H8por
dc.contributor.referee2Rodrigues, Wagner Nunes
dc.contributor.referee2Latteshttp://lattes.cnpq.br/3569531507114017por
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