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Tipo: Dissertação
Título: Kardar-Parisi-Zhang universality, anomalous scaling and crossover efects in the growth of CdTe thin films
Autor(es): Almeida, Renan Augusto Lisbôa
Abstract: A relation between the mound evolution and large-wavelength fluctuations at CdTe surface has been established. One finds that short-length scales are dictated by an interplay between the effects of the for- mation of defects at colided boundaries of neighboring grains and a relaxation process which stems from the diffusion and deposition of particles (CdTe molecules) torward these regions. A Kinetic Monte Carlo model corroborates these reasonings. As T is increased, that competition gives rise to different scenarios in the roughening scaling such as: uncorrelated growth, a crossover from random to correlated growth and tran- sient anomalous scaling. In particular, for T = 250 ºC, one shows that fluctuations of CdTe surface are described by the celebrated Kardar-Parisi-Zhang (KPZ) equation, in the meantime that, the universality of height, local roughness and maximal height distributions for the KPZ class is, finally, experimentally demonstrated. The dynamic of fluctuations at the CdTe surface for other temperatures still is described by the KPZ equation, but with different values for the superficial tension (u) and excess of velocity (A). Namely, for T = 150 ºC one finds a Poissonian growth that indicates 1/ = A = O. For T : ZOOºC, however, a Random-to-KPZ crossover is found, vvith A > 0 in the second regime. The origin of the KPZ scaling for films grown at T 6 [200,250] ºC stems from a complex dynamic of grain packing during vvhich all available space at the neighborhood of grains are not filled. This aggregation mechanism has the same effect of the lateral aggregation of the balistic deposition model Which leads to an excess of velocity (A > O). Finally, for films grown at T = 300 ºC one demonstrates that a KPZ grovvth vvith A < 0 takes place. In particular, the KPZ mechanism at this T comes from the high refuse rate of the deposition of particles, Which depends on the local lepes. This phenomenon can be explained in terms of the sticking coeflicient Which is so smaller as more locally inclinated is the surface. Due to finite-time effects (temporal crossover and anomalous scaling) taking place in T = 200 ºC and T : SOOºC, scale exponents fail in reveal the Universality Class of the grovvth. Notvvhithstanding, a new scheme developed, vvhich advances over the simple comparison between exponents and their theoretically predicted values, allovv us, surely, to conclude that the growth of CdTe, in a Wide range of deposition temperature, belongs to the KPZ class.
Neste trabalho estuda-se a dinâmica de crescimento de filmes finos de Telureto de Cadmio (CdTe) para temperaturas de deposição (T) entre lõOºC e 300 ºC. Uma relação entre a evolução dos morros e flutuações de longos comprimentos de onda na surperfície do filme de CdTe é estabelecida. Encontra-se que escalas de curtos comprimentos de onda são ditadas por uma competição entre o resultado da formação de defeitos na borda de grãos vizinhos colididos e entre um processo de relaxação originado da difusão e da deposição de partículas (moléculas de CdTe) sobre essas regiões. Um modelo de Monte Carlo Cinético corrobora as explicações. A medida que T e elevada, essa com- petição da origem a diferentes cenários na escala de rugosidade tais como: crescimento descorrelacionado, crossover de descorrelacionado para crescimento correlacionado e escala anômala transiente. Em particular, para T = 250 ºC, mostra-se que flutuações na superfície de CdTe são descritas pela célebre equação Kardar-Parisi-Zhang (KPZ), ao mesmo tempo que, a universalidade das distribuições de altura, rugosidade local e altura máxima para a classe KPZ e, finalmente, experimentalmente demonstrada. A dinâmica das flutuações na superfície de filmes crescidos a outras temperaturas ainda é descrita pela equação KPZ, mas com diferentes valores para a tensão superficial (u) e para o excesso de velocidade (A). A saber, para T = 150 ºC encontra-se um crescimento Poissoniano que indica z/ = A = 0. Para T = 200 ºC, entretanto, um crossover aleatório-para-KPZ é encontrado, com A > 0 neste segundo regime. A origem da escala KPZ para filmes crescidos a T E [200, 250] ºC decorre da complexa dinâmica de empacotamento dos grãos durante a qual espaços nas vizinhanças dos mesmos não são totalmente preenchidos. Esse mecanismo de agregação tem o mesmo efeito da agregação lateral do modelo de deposição balística o qual leva a um excesso de velocidade (A > 0). Finalmente, para filmes crescidos a T = 300 ºC demonstra-se que A < 0. Em particular, o mecanismo KPZ para filmes crescidos a esta temperatura decorre da alta taxa de recusa da deposição de partículas, a qual e dependente das inclinações locais. Este fenômeno pode ser explicado em termos do coeficiente de sticking, o qual e tão pequeno quão mais localmente inclinada for a superfície. Devido a efeitos de tempo-finito (crossover temporais e escala anômala) ocorrendo em T = 200 ºC e 300 ºC, expoentes de escala falham em revelar a Classe de Universalidade do crescimento. Contudo, um novo método desenvolvido, que avança sobre a simples comparação entre expoentes e seus valores teoricamente esperados, permite-nos concluir que o crescimento de CdTe, em uma ampla faixa de temperatura, pertence a classe KPZ.
Palavras-chave: Telureto de cádmio
Filmes finos
Kardar-Parisi-Zhang, Equação de
CNPq: Física da Matéria Condensada
Editor: Universidade Federal de Viçosa
Titulação: Mestre em Física
Citação: ALMEIDA, Renan Augusto Lisbôa. Kardar-Parisi-Zhang universality, anomalous scaling and crossover efects in the growth of CdTe thin films. 2015. 129f. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal de Viçosa, Viçosa. 2015.
Tipo de Acesso: Acesso Aberto
URI: http://www.locus.ufv.br/handle/123456789/6360
Data do documento: 10-Fev-2015
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