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dc.contributorFerreira, Sukarno Olavo
dc.contributor.advisorPérez, Carlos Alberto
dc.contributor.authorTardillo Suarez, Vanessa Isabel
dc.date.accessioned2016-05-25T16:32:32Z
dc.date.available2016-05-25T16:32:32Z
dc.date.issued2016-03-31
dc.identifier.citationTARDILLO SUÁREZ, Vanessa Isabel. Estudo de perfis em profundidade de dopantes magnéticos em óxidos semicondutores usando técnicas espectroscópicas de raio X sob incidência rasante. 2016. 97f. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Federal de Viçosa, Viçosa. 2016.pt-BR
dc.identifier.urihttp://www.locus.ufv.br/handle/123456789/7712
dc.description.abstractUm dispositivo spintrônico é aquele onde o spin do elétron (usado no armazenamento da informação) e a carga do elétron (usada no processamento da informação) são mani- pulados ao mesmo tempo, de forma que o ferromagnetismo e as propriedades semicon- dutoras co-existem no mesmo material.Semicondutores Magnéticos Diluídos (DMS) são compostos de um semicondutor dopado com íons de metais de transição. Estes materiais são considerados bons candidatos para seu uso em dispositivos spintrôni- cos, devido a sua temperatura de Curie (Tc) acima da temperatura ambiente. Neste contexto, é imprescindível compreender como as propriedades físicas destes materiais variam com alguns parâmetros, tais como espessura e distribuição dos dopantes. Neste trabalho, filmes finos de SnO2 dopados com cobalto foram crescidos sobre substratos de LaAlO3 (LAO) e SrTiO3 (STO) usando a técnica de sputtering DC/RF pelo mé- todo de co-evaporação e a técnica de Deposição assistida por Laser Pulsado (PLD). Medidas do comportamento magnético dos filmes foram feitas usando um Magnetôme- tro de Amostra Vibrante (VSM). Os filmes foram estudados usando diferentes técnicas experimentais. Com a finalidade de estudar o perfil de concentração do dopante nestes filmes, a técnica de Fluorescência de Raios X em condições de incidência rasante (GI- XRF) foi utilizada bem como foi desenvolvido um programa de cálculo da curva teórica para obtenção de diversos perfis em profundidade dos elementos que compõem o filme. Outras técnicas de espectroscopia de raios X baseadas em luz síncrotron como Espec- troscopia de Absorção de Raios X próximo da borda em condições de incidência rasante (GI-XANES) e Espectroscopia da Estrutura Fina de Absorção de Raios X Estendida (EXAFS), foram utilizadas para estudar a estrutura local entorno do átomo dopante. Além disso, Microscopia de Força Atômica (AFM) e Difração de Raios X (XRD) foram utilizadas para caracterização morfológica da superfície bem como a estrutura de longo alcance dos filmes finos.pt-BR
dc.description.abstractAn spintronic device is a device where the spin of the electron (used for storage in- formation) and the charge of the electron (used for processing data) are manipulated at the same time, in order to ferromagnetism and semiconducting properties coexist in the same material.Diluted Magnetic Semiconductors (DMS) are composed by a transition metal ion doped semiconductor. These materials are considered good can- didates to be used as spintronic devices, due to their high Curie temperature (Tc) above room temperature. In this context, it is necessary to understand how physi- cal properties of these materials depend on several parameters, such as thickness and dopant distribution. In this work, Co doped SnO2 thin films were grown on LaAlO3 (LAO) and SrTiO3 (STO) substrates using sputtering DC/RF growing technique by co-evaporation method and Pulsed laser Deposition (PLD). Measurements of the mag- netic behavior for these films were performed using a Vibrating Sample Magnetometer (VSM). These films were studied using different experimental techniques. In order to study depth concentration profile of the dopants, Grazing Incidence X-Ray Fluores- cence (GI-XRF) analysis was used and a modeling program was developed in order to calculate the GI-XRF theoretical curve to obtain several depth profiles of the elements present in the films. Other synchrotron-based x-ray spectroscopic techniques such as Grazing Incidence X-ray Absorption Near Edge Structure (GI-XANES) and Extended X-ray absorption fine structure (EXAFS) were used to study the local structure around the dopant atom. Furthermore, Atomic Force Microscopy (AFM) and X-ray Diffraction (XRD) were used to characterize the topography of the surface as well as the long range structure of thin films.en
dc.description.sponsorshipCoordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superiorpt-BR
dc.language.isoporpt-BR
dc.publisherUniversidade Federal de Viçosapt-BR
dc.rightsAcesso Abertopt-BR
dc.subjectFerromagnetismopt-BR
dc.subjectFilmes finos - Propriedades físicaspt-BR
dc.subjectÓxido de estanhopt-BR
dc.subjectSemicondutorespt-BR
dc.subjectMateriais magnéticospt-BR
dc.titleEstudo de perfis em profundidade de dopantes magnéticos em óxidos semicondutores usando técnicas espectroscópicas de raio X sob incidência rasantept-BR
dc.titleStudy of magnetic dopants depth profile in oxide-semiconductors using grazing incidence x-ray spectroscopic techniquesen
dc.typeTesept-BR
dc.contributor.authorLatteshttp://lattes.cnpq.br/7354069903410672pt-BR
dc.subject.cnpqFísica da Matéria Condensadapt-BR
dc.degree.grantorUniversidade Federal de Viçosapt-BR
dc.degree.departmentDepartamento de Físicapt-BR
dc.degree.programDoutor em Físicapt-BR
dc.degree.localViçosa - MGpt-BR
dc.degree.date2016-03-31
dc.degree.levelDoutoradopt-BR
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